IPI126N10N3 G

מספר מוצר של יצרן:

IPI126N10N3 G

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPI126N10N3 G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12804715

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IPI126N10N3 G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

OptiMOS™

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

58A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

12.6mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3.5V @ 46µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

35 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2500 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

94W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

PG-TO262-3

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

מספר מוצר בסיסי

IPI126N

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IPB123N10N3G, (IPP,IPI)126N10N3

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IPI126N10N3 G-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

IPI126N10N3G

IPI126N10N3 G-DG

IFEINFIPI126N10N3 G

2156-IPI126N10N3 G-IT

חבילה סטנדרטית

500

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IPP80P04P4L06AKSA1

MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRFZ44ESPBF

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

infineon-technologies

IRFR9024NTRLPBF

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

infineon-technologies

IRFR2407TR

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK